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微观形貌分析
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热场发射扫描电子显微镜分析(Quanta 400 FEG)

2018-12-18 16:43:52
适用领域                                                                                                                                                                      
1)     广泛地应用于各种金属材料和非金属材料的检验和研究
2)     在材料科学研究、金属材料、化学材料、半导体材料、陶瓷材料等多个领域可以进行材料的微观形貌、组织、成分分析,材料断口分析和失效分析
3)     各种材料的形貌组织观察;材料实时微区成分分析
4)     快速的多元素面扫描和线扫描分布测量;晶粒尺寸、形状分析,晶体、晶粒取向测量
5)     元素定量、定性成分分析
6)     晶体、晶粒的相鉴定
 
面向学科                                                                                                                                                                     
化学、化工、高分子、材料、环境、生物、医学、药学、农学、地质、食品、生命科学等
  
样品要求                                                                                                                                                                     
1)     请根据自己样品的性质及测试需求,自行查阅相关资料后,提供详细的测试条件(电压、电流、信号、放大倍数、标尺、理想的照片等)
2)     样品量不少于3 mg。可以接受固体、粉末、薄膜或纤维样品
3)     潮湿的样品不能测试。有机的样品需要具体沟通
 
收费标准                                                                                                                                                                           
1)     形貌观察(无磁性)                                      150元/样
2)     形貌观察(磁性样)                                      200元/样
3)     EDS能谱(随形貌2个区域)                          100元/样
4
)     mapping                                                      300元/样
 
测试仪器                                                                                                                                                                     
仪器名称:热场发射扫描电子显微镜
仪器型号:Quanta 400 FEG
仪器缩写: SEM
生产厂家:美国FEI公司
       
      
仪器技术参数                                                                                                                                                                                                                                                                                                                           
1)加速电压200V ~ 30kV束流 >100nA分辨率(用碳膜上的金颗粒来测试)
2)高真空:1.2nm@30kV (SE);2.5nm@30kV (BSE);3.0nm@1kV (SE)
3)低真空:1.5nm@30kV (SE);2.5nm@30kV (BSE);3.0nm@3kV (SE)
4)扩展的真空模式(ESEM):1.5nm@30kV (SE)
5)焦距范围2.5 ~ 99 mm
6)放大倍率12x (长工作距离) ~ >2,000,000x在19"LCD显示器上单一像限观察视野范围在高、低真空模式具有同样的视野范围(最大工作距离17mm)

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